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信息技术科学部，半导体器件物理学家
1919.3.15-2014.7.30
信息技术科学部，半导体器件物理学家
曾任中国科学院半导体研究所研究员、微电子中心名誉主任。1958年筹建了我国第一个晶体管工厂。1963年起致力于砷化镓激光器的研究工作，创造了简易的光学定晶向的方法，促进了我国第一个砷化镓激光器的研制成功。1973年起，在领导研究砷化镓中高场畴的动力学以及PNPN负阻激光器的瞬态和光电特性的过程中，提出了一些很有创见的学术观点。1978年带领科技人员进行提高大规模集成电路芯片成品率的研究，解决了一系列技术难题，使我国大规模集成电路芯片的成品率有显著提高，成本大为降低。
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出生于江苏苏州
1919年
1941年
毕业于同济大学
获美国普渡大学硕士学位
1946年
1949年
获美国普渡大学博士学位
归国就任与中国科学院应用物理研究所
1950年
1980年
当选为中国科学院学部委员（院士）
逝世
2014年