林兰英林兰英


   半导体材料学家。我国半导体科学事业开拓者之一。先后负责研制成我国第一根硅、锑化铟、砷化镓、磷化镓等单晶,为我国微电子和光电子学的发展奠定了基础。负责研制的高纯度汽相和液相外延材料达到国际先水平。开创了我国微重力半导体材料科学研究新领域,并在砷化镓晶体太空生长和性质研究方面取得了世人瞩目的成绩。1980当选为中国科学院学部委员(院士)。

1917年

出生于福建省莆田市。

1936年

进入福建协和大学,毕业后留校任教8年。

1955年

获得美国宾夕法尼亚大学固体物理学博士学位。

1957年

归国,就任于中科院应用物理所。

1980年
当选为中国科学院学部委员(院士)。
1985年
获国家科技进步二等奖。
1987年
在微重力条件下从熔体重生长砷化镓单晶,为世界首创。
1989年
获中科院科技进步一等奖。
1990年

获国家科技进步三等奖。

1996年

获何梁何利科技进步奖。

1998年
获霍英东成就奖。
2003年

逝世。